RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Gesamtnote
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
52
Rund um -49% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
14900
Rund um 1.29 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
13.7
Speicherbandbreite, mbps
14900
19200
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2173
3306
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link