RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Gesamtnote
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gesamtnote
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
52
Rund um -126% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
14900
Rund um 1.14 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
12.8
Speicherbandbreite, mbps
14900
17000
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2173
3037
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation M424016 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link