Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

Gesamtnote
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

Unterschiede

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    33 left arrow 52
    Rund um -58% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.6 left arrow 9.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.3 left arrow 7.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 14900
    Rund um 1.29 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    52 left arrow 33
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.7 left arrow 11.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.2 left arrow 8.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2173 left arrow 2227
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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