RAM-Vergleich Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Gesamtnote

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

30 52

Rund um -73% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

10 9.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.5 7.2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 14900

Rund um 1.14 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-10-9-28 / 1866 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2173 2234

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns