RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Gesamtnote
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gesamtnote
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
52
Rund um -136% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
14900
Rund um 1.43 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
13.6
Speicherbandbreite, mbps
14900
21300
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2173
3182
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link