RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Gesamtnote
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
52
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
14900
Rund um 1.14 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
10.5
Speicherbandbreite, mbps
14900
17000
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2173
2400
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link