RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Gesamtnote
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
52
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
14900
Rund um 1.43 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
8.4
Speicherbandbreite, mbps
14900
21300
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2173
2277
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Mushkin 994083 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link