RAM-Vergleich Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Gesamtnote

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

18 52

Rund um -189% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.4 9.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

18.1 7.2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 14900

Rund um 1.29 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2173 3529

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns