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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Gesamtnote
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gesamtnote
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
52
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
14900
Rund um 1.14 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
11.0
Speicherbandbreite, mbps
14900
17000
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2173
2890
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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