RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Gesamtnote
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
52
57
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
14900
Rund um 1.43 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
9.8
Speicherbandbreite, mbps
14900
21300
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2173
2328
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMP4GX3M2B1600C8 2GB
Corsair CMX4GX3M1A1600C9 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link