Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB

Gesamtnote
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Gesamtnote
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB

Unterschiede

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 52
    Rund um -73% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.7 left arrow 9.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.6 left arrow 7.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 14900
    Rund um 1.43 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    52 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.7 left arrow 16.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.2 left arrow 13.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2173 left arrow 3447
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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