RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
43
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2275
2250
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link