RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
32
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2275
3070
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link