RAM-Vergleich Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Gesamtnote

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

19 26

Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.4 12.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

14.9 9.0

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 10600

Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2143 3521

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns