RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
31
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3542
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link