RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
16.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3936
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link