RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
39
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3402
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link