RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3673
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link