RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
26
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3174
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link