RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
34
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
16.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3465
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link