RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
32
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2399
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link