RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
31
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2712
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link