RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
32
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
11.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2903
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link