RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3627
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link