RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
34
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
11.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2780
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link