RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
39
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2760
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link