RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
26
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3062
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link