RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
26
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
17.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3703
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link