RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3701
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link