RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
66
Rund um 61% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
1877
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link