RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
26
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
11.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2346
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link