RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
11.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2382
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link