RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
26
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3264
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Strontium SRP2G86U1-S6M 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link