RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
26
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2509
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link