RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston HX421C14FB/4 4GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
30
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2730
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link