RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3474
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link