RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2848
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link