RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
26
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
11.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3112
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link