Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Gesamtnote
star star star star star
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB

Unterschiede

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    26 left arrow 72
    Rund um 64% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 8.5
    Durchschnittswert bei den Tests
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.6 left arrow 12.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    26 left arrow 72
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.8 left arrow 14.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 8.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2143 left arrow 1918
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche