RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2422
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link