RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
34
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3448
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link