RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
42
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2181
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link