RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
42
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3033
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 99U5584-009.A00LF 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link