RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
45
Rund um 42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
9.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
1550
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
UMAX Technology 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link