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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
37
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2026
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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