RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
46
Rund um 39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
12.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
2541
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link