RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
84
Rund um 67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
84
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
10.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
1932
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link