RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
14.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
3505
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link