RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.7
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
15.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
3950
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link