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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
28
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.7
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
15.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
3473
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
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